CVD Graphene Film on Wafer (CVD 晶圓級石墨烯薄膜)
代碼 65
一、 產品概觀
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產品名稱：CVD Graphene Film on Wafer (CVD 晶圓級石墨烯薄膜)
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基本架構：採用化學氣相沉積（CVD）技術在銅箔上生長單層石墨烯，隨後透過濕式轉移工藝（Wet Transfer）將其精準轉移至標準的 300 nm SiO₂/Si（二氧化矽/矽）晶圓上。
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主要特點：具備優異的導電性、導熱性與極高的光學透明度，為元件製程、特性表徵及學術研究提供了高度一致且標準化的平台。
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基本尺寸：4 吋晶圓（4 inch wafer）。
二、 詳細技術規格 (Specifications)
| 項目 | 規格參數 |
| 生長方法 (Growth Method) | CVD 綜合製程 (CVD Synthesis) |
| 品質控制 (Quality Control) | 透過 Raman（拉曼光譜）、SEM（掃描電子顯微鏡）及 Optical（光學顯微鏡）檢測 |
| 光學透光率 (Transparency) | ~97.7% |
| 石墨烯厚度 (Thickness) | 3.45 Å (埃) |
| 晶圓基底類型 (Wafer Type) | 300 nm SiO₂ / Si 晶圓 |
| 片電阻 (Sheet Resistance) | 500 ± 70 Ω/sq (轉移至 SiO₂/Si 後) |
| 載子遷移率 (Mobility) | > 3000 cm²/Vs (視轉移狀況而定) |
| 多層覆蓋率 (Multilayer Coverage) | < 5% (高比例的單層純度) |
| 拉曼特徵峰比值（轉移後） | $I_{2D}/I_G$ 平均 > 1.6 ； $I_D/I_G$ 平均 < 0.05（代表缺陷極低） |
| 2D 峰半高寬（轉移後） | 2D peak FWHM ~ 35 cm⁻¹ |
| 催化劑資訊（生長前） | 銅催化劑厚度 20 µm，主要為 Cu(111) 晶向，晶粒達公分級（cm-scale） |
| 石墨烯平均晶粒大小 | ~80 µm |
| 外觀 (Appearance) | 透明薄膜 |
三、 主要應用領域 (Applications)
由於該產品已預先轉移至半導體製程常用的 Si/SiO₂ 晶圓上，非常適合應用於：
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電子元件：場效應電晶體（FET）、電學接觸（Electrical Contacts）。
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生醫與感測：生物感測器（Biosensors）、各式環境/化學感測器。
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光電領域：光電探測器、透明導電膜、光電元件（Optoelectronics）。
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前沿研究：質子交換膜（Proton Conductive Membranes）、基礎材料科學與物理特性研究。